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SIHG22N60E-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 21 A, 0.18 ohm, TO-247AC, Agujero Pasante
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FabricanteVISHAY
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $6.640 |
| 10+ | $3.920 |
| 25+ | $3.830 |
| 50+ | $3.750 |
| 100+ | $3.660 |
| 250+ | $3.590 |
| 500+ | $3.520 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
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Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark19X1938
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id21
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.18
Resistencia de Activación Rds(on)0.15ohm
Diseño de TransistorTO-247AC
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia Pd227W
Disipación de Potencia227
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Resumen del producto
MOSFET de potencia de la serie E adecuado para su uso en fuentes de alimentación de servidor y telecomunicaciones, fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), fuentes de alimentación de corrección del factor de potencia (PFC), iluminación (descarga de alta intensidad (HID), iluminación de balasto fluorescente), industrial (soldadura calentamiento por inducción, accionamientos de motor, cargadores de baterías, energías renovables y solar (inversores fotovoltaicos).
- Baja figura de mérito (FOM) Ron x Qi
- Baja capacitancia de entrada (Ciss)
- Pérdidas bajas de conmutación y conducción.
- Carga de puerta ultrabaja (Qi)
- Energía de avalancha clasificada (UIS)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.18
Diseño de Transistor
TO-247AC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
227W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
21
Resistencia de Activación Rds(on)
0.15ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
227
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
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5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
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