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SIHFL9110TR-GE3
MOSFET, CANAL P, 100V, 1.1A, SOT-223
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIHFL9110TR-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante33 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6217
Re-reeling (Rollos a medida)57AJ0382RL
Cinta adhesiva57AJ0382
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $1.110 | $5.55 |
| Total Precio | $5.55 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $1.110 |
| 10+ | $0.564 |
| 15+ | $0.551 |
| 25+ | $0.537 |
| 50+ | $0.524 |
| 125+ | $0.510 |
| 250+ | $0.463 |
| 500+ | $0.416 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.352 |
| 7500+ | $0.321 |
| 12500+ | $0.315 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIHFL9110TR-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante33 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6217
Re-reeling (Rollos a medida)57AJ0382RL
Cinta adhesiva57AJ0382
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id1.1A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.2ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia3.1W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.2ohm
Diseño de Transistor
SOT-223
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
3.1W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
1.1A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
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