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SIHD12N50E-GE3
MOSFET de Potencia, Serie E, Canal N, 500 V, 10.5 A, 0.33 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 23 semanas
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.660 | $2.66 |
| Total Precio | $2.66 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.660 |
| 50+ | $1.720 |
| 100+ | $1.180 |
| 250+ | $1.060 |
| 500+ | $0.938 |
| 1000+ | $0.864 |
| 2500+ | $0.861 |
| 5000+ | $0.857 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIHD12N50E-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)43Y2396RL
Cinta adhesiva43Y2396
Rango de ProductoE
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500
Intensidad Drenador Continua Id10.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.33
Resistencia de Activación Rds(on)0.33ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd114W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia114
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoE
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Resumen del producto
El SIHD12N50E-GE3 es un MOSFET de potencia en modo N de canal N de mejora adecuado para computación, iluminación, electrónica de consumo, fuentes de alimentación de modo de conmutación y aplicaciones de topología de conmutación dura.
- Baja figura de mérito (FOM) Ron x Qg
- Baja capacitancia de entrada (CISS)
- Conmutación reducida
- Reducción de las pérdidas de conducción.
- Baja carga de compuerta (Qg)
- Energía de avalancha clasificada (UIS)
- Libre de halógenos
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.33
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia Pd
114W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
E
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
10.5
Resistencia de Activación Rds(on)
0.33ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
114
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto