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SIHB080N60E-GE3
MOSFET, CANAL N, 600V, 35A, TO-263
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIHB080N60E-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark62AK0117
Rango de ProductoE Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600V
Intensidad Drenador Continua Id35A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.08ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5V
Disipación de Potencia227W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoE Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
35A
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
227W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.08ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
E Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (07-Nov-2024)
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