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SIDR668ADP-T1-RE3
MOSFET, CANAL N, 100V, 104A, 150°C, 125W
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIDR668ADP-T1-RE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante56 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)04AJ4575RL
Cinta adhesiva04AJ4575
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
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2,407 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $3.990 | $3.99 |
| Total Precio | $3.99 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.990 |
| 50+ | $2.650 |
| 100+ | $1.880 |
| 250+ | $1.730 |
| 500+ | $1.570 |
| 1000+ | $1.540 |
| 2500+ | $1.520 |
| 5000+ | $1.490 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIDR668ADP-T1-RE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante56 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)04AJ4575RL
Cinta adhesiva04AJ4575
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id104A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4800µohm
Diseño de TransistorPowerPAK SO-DC
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia125W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
PowerPAK SO-DC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
104A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4800µohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia
125W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
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