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SIB4317EDK-T1-GE3
MOSFET, P-CH, 30V, 4.5A, POWERPAK SC-75 ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.765 |
| 10+ | $0.492 |
| 25+ | $0.440 |
| 50+ | $0.388 |
| 100+ | $0.336 |
| 250+ | $0.303 |
| 500+ | $0.269 |
| 1000+ | $0.247 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIB4317EDK-T1-GE3
No. Parte Newark26AK3553
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id4.5A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.065ohm
Diseño de TransistorPowerPAK SC-75
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.3V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia10W
No. de Pines7Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
PowerPAK SC-75
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
7Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
4.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.065ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.3V
Disipación de Potencia
10W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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