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SIA469DJ-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 12 A, 0.0265 ohm, PowerPAK SC-70, Montaje Superficial
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.696 | $0.70 |
| Total Precio | $0.70 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.696 |
| 50+ | $0.432 |
| 100+ | $0.277 |
| 250+ | $0.244 |
| 500+ | $0.211 |
| 1000+ | $0.189 |
| 2500+ | $0.175 |
| 5000+ | $0.161 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIA469DJ-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)10AC9109RL
Cinta adhesiva10AC9109
Rango de ProductoTrenchFET
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id12
Resistencia de Activación Rds(on)0.021ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0265
Diseño de TransistorPowerPAK SC-70
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia Pd15.6W
Disipación de Potencia15.6
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoTrenchFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Resumen del producto
MOSFET de canal P de 30 V (D-S) adecuado para su uso en interruptores de carga, convertidores CD/CD, conmutación de alta velocidad, administración de energía en dispositivos portátiles, portátiles y que funcionan con baterías.
- MOSFET de potencia de canal p TrenchFET® Gen III
- Paquete PowerPAK® SC-70 térmicamente mejorado
- Probado Rg 100%
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.021ohm
Diseño de Transistor
PowerPAK SC-70
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
15.6W
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
TrenchFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
12
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0265
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia
15.6
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SIA469DJ-T1-GE3
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto