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SIA436DJ-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 8 V, 12 A, 0.0094 ohm, PowerPAK SC-70, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
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No. Parte Newark04X9736
Rango de ProductoTrenchFET Series
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.727 |
| 25+ | $0.548 |
| 50+ | $0.489 |
| 100+ | $0.430 |
| 250+ | $0.410 |
| 500+ | $0.390 |
| 1000+ | $0.360 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIA436DJ-T1-GE3Copiar
No. Parte Newark04X9736
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds8
Intensidad Drenador Continua Id12
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0094
Diseño de TransistorPowerPAK SC-70
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente350
Disipación de Potencia19
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoTrenchFET Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
12
Diseño de Transistor
PowerPAK SC-70
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Disipación de Potencia
19
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0094
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
350
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
TrenchFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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