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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIA4265EDJ-T1-GE3
No. Parte Newark26AK3550
Rango de ProductoTrenchFET Series
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Hoja de datos técnicos
1,395 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.623 |
| 10+ | $0.406 |
| 25+ | $0.377 |
| 50+ | $0.349 |
| 100+ | $0.320 |
| 250+ | $0.288 |
| 500+ | $0.256 |
| 1000+ | $0.235 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIA4265EDJ-T1-GE3
No. Parte Newark26AK3550
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id9A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.032ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorPowerPAK SC-70
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia15.6W
No. de Pines7Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.032ohm
Diseño de Transistor
PowerPAK SC-70
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
7Pines
Rango de Producto
TrenchFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
9A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
Disipación de Potencia
15.6W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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