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SIA108DJ-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 80V, 12A, 150DEG C, 19W
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIA108DJ-T1-GE3
No. Parte Newark
Hilado completo01AM0537
Re-reeling (Rollos a medida)06AH4234
Cinta adhesiva06AH4234
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
Su número de pieza
12,554 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $1.710 | $8.55 |
| Total Precio | $8.55 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.710 |
| 10+ | $0.927 |
| 25+ | $0.823 |
| 50+ | $0.720 |
| 100+ | $0.616 |
| 250+ | $0.549 |
| 500+ | $0.482 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.355 |
| 6000+ | $0.288 |
| 12000+ | $0.252 |
| 18000+ | $0.233 |
| 30000+ | $0.204 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIA108DJ-T1-GE3
No. Parte Newark
Hilado completo01AM0537
Re-reeling (Rollos a medida)06AH4234
Cinta adhesiva06AH4234
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id12A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.032ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorPowerPAK SC-70
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia19W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.032ohm
Diseño de Transistor
PowerPAK SC-70
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
19W
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
12A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (07-Nov-2024)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza SIA108DJ-T1-GE3
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (07-Nov-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto