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SI9945BDY-T1-GE3
MOSFET Dual, Canal N, 60 V, 5.3 A, 0.058 ohm
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI9945BDY-T1-GE3
No. Parte Newark09X6456
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.200 |
| 10+ | $0.949 |
| 25+ | $0.872 |
| 50+ | $0.795 |
| 100+ | $0.718 |
| 250+ | $0.658 |
| 500+ | $0.597 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI9945BDY-T1-GE3
No. Parte Newark09X6456
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id5.3A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N5.3
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.058
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N3.1
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
The SI9945BDY-T1-GE3 is a 60V Dual N-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for use in LCD TV CCFL inverter and load switch applications. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
Aplicaciones
Administración de Potencia, Electrónica de Consumo
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
5.3A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
5.3
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.058
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
3.1
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
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US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
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Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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