Imprimir página
SI9933CDY-T1-E3
MOSFET Doble, Canal P, 20 V, 4 A, 0.048 ohms, SOIC, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI9933CDY-T1-E3
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6332
Re-reeling (Rollos a medida)60AC3821
Cinta adhesiva60AC3821
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
117 En Inventario
¿Necesita más?
117 Entrega en 1-3 días hábiles(US inventario)
0 Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
Pedido antes de las 9 p.m. EST envío estándar
Disponible en la cantidad indicada
Opciones de embalaje
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.54 |
| 10+ | $0.37 |
| 25+ | $0.34 |
| 50+ | $0.32 |
| 100+ | $0.30 |
| 250+ | $0.28 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.26 |
| 5000+ | $0.24 |
| 10000+ | $0.24 |
| 15000+ | $0.23 |
| 25000+ | $0.23 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI9933CDY-T1-E3
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6332
Re-reeling (Rollos a medida)60AC3821
Cinta adhesiva60AC3821
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20V
Intensidad Drenador Continua Id4A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N4A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P4A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.048ohm
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N3.1W
Disipación de Potencia de Canal P3.1W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza SI9933CDY-T1-E3
2 productos encontrados
Resumen del producto
MOSFET de doble canal P de 20V (D-S) adecuado para interruptor de carga y convertidor CD/CD.
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% probados Rg y UIS
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20V
Intensidad Drenador Continua Id
4A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
4A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.048ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
3.1W
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
4A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
-
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
3.1W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto