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SI9926CDY-T1-GE3
MOSFET, DUAL, CANAL N, 20V, 8A, NSOIC-8
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI9926CDY-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante38 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6331
Re-reeling (Rollos a medida)50AC9668RL
Cinta adhesiva50AC9668
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2,014 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $2.490 | $12.45 |
| Total Precio | $12.45 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $2.490 |
| 10+ | $1.190 |
| 15+ | $1.160 |
| 25+ | $1.130 |
| 50+ | $1.090 |
| 125+ | $1.060 |
| 250+ | $1.040 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.589 |
| 5000+ | $0.559 |
| 7500+ | $0.528 |
| 12500+ | $0.517 |
| 25000+ | $0.507 |
| 62500+ | $0.496 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI9926CDY-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante38 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6331
Re-reeling (Rollos a medida)50AC9668RL
Cinta adhesiva50AC9668
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20V
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N8A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P8A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.015ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.015ohm
Diseño de TransistorNSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N3.1W
Disipación de Potencia de Canal P3.1W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
8A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.015ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
3.1W
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
8A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.015ohm
Diseño de Transistor
NSOIC
Disipación de Potencia de Canal N
3.1W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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