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SI9407BDY-T1-GE3
MOSFET Transistor, P Channel, -4.7 A, -60 V, 0.1 ohm, -10 V, -3 V RoHS Compliant: Yes
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI9407BDY-T1-GE3
No. Parte Newark47Y1313
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.860 |
| 10+ | $1.250 |
| 25+ | $1.130 |
| 50+ | $1.020 |
| 100+ | $0.902 |
| 250+ | $0.828 |
| 500+ | $0.753 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI9407BDY-T1-GE3
No. Parte Newark47Y1313
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id4.7A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.12ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia5W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.12ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
4.7A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
5W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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