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SI8824EDB-T2-E1
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 2.9 A, 0.075 ohm, MICRO FOOT, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
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No. Parte Newark49Y3697
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 6000+ | $0.140 |
| 18000+ | $0.121 |
| 30000+ | $0.100 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 6000
Múltiple: 6000
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Información del producto
FabricanteVISHAY
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Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark49Y3697
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id2.9
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.075
Resistencia de Activación Rds(on)0.06ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd900mW
Diseño de TransistorMICRO FOOT
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente800
Disipación de Potencia900
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.075
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
900mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
800
No. de Pines
4Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
2.9
Resistencia de Activación Rds(on)
0.06ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Diseño de Transistor
MICRO FOOT
Disipación de Potencia
900
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI8824EDB-T2-E1
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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