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SI8800EDB-T2-E1
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 2.8 A, 66 mohm, MICRO FOOT, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI8800EDB-T2-E1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo84AC2749
Re-reeling (Rollos a medida)69W7244
Cinta adhesiva69W7244
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.616 | $0.62 |
| Total Precio | $0.62 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.616 |
| 25+ | $0.382 |
| 50+ | $0.314 |
| 100+ | $0.246 |
| 250+ | $0.216 |
| 500+ | $0.187 |
| 1000+ | $0.168 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.179 |
| 5000+ | $0.175 |
| 10000+ | $0.161 |
| 20000+ | $0.150 |
| 30000+ | $0.140 |
| 50000+ | $0.134 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI8800EDB-T2-E1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo84AC2749
Re-reeling (Rollos a medida)69W7244
Cinta adhesiva69W7244
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id2.8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente66
Resistencia de Activación Rds(on)0.066ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd900mW
Diseño de TransistorMICRO FOOT
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente400
Disipación de Potencia900
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
66
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
900mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
400
No. de Pines
4Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
2.8
Resistencia de Activación Rds(on)
0.066ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Diseño de Transistor
MICRO FOOT
Disipación de Potencia
900
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI8800EDB-T2-E1
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto