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SI7898DP-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 150 V, 3 A, 85 mohm, SOIC, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7898DP-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante39 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo01AM0556
Re-reeling (Rollos a medida)72R4251RL
Cinta adhesiva72R4251
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $3.170 | $15.85 |
| Total Precio | $15.85 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $3.170 |
| 10+ | $2.060 |
| 15+ | $1.900 |
| 25+ | $1.740 |
| 50+ | $1.580 |
| 125+ | $1.420 |
| 250+ | $1.390 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $1.130 |
| 4000+ | $1.050 |
| 6000+ | $1.020 |
| 10000+ | $0.991 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7898DP-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante39 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo01AM0556
Re-reeling (Rollos a medida)72R4251RL
Cinta adhesiva72R4251
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150V
Intensidad Drenador Continua Id3A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente85
Resistencia de Activación Rds(on)0.068ohm
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd1.9W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia1.9W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Resumen del producto
El SI7898DP-T1-GE3 es un MOSFET de potencia en modo N de TrenchFET® de 150 VDS adecuado para aplicaciones de interruptor de lado primario de fuente de alimentación de CD a CD y controlador de motor industrial.
- Nuevo paquete PowerPAK® de baja resistencia térmica con tamaño pequeño y perfil bajo de 1.07 mm
- Optimizado para PWM
- Conmutación rápida
- Probado Rg 100%
- Libre de halógenos
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
3A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.068ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
1.9W
Disipación de Potencia
1.9W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
85
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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