Imprimir página
SI7884BDP-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 58 A, 0.0075 ohm, PowerPAK SO, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7884BDP-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark16P3877
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 37 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 25+ | $2.420 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$7,260.00
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7884BDP-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark16P3877
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id58
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0075
Resistencia de Activación Rds(on)0.0062ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd46W
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia46
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El SI7884BDP-T1-GE3 es un MOSFET de potencia TrenchFET® de canal N de 40V. El MOSFET de canal N para aplicaciones de conmutación ahora está disponible con resistencias de matriz de alrededor de 1 mΩ y con la capacidad de manejar 85A.
- Libre de halógenos según la definición de IEC 61249-2-21
- Rg probado 100%
- Probado UIS 100%
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0075
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
46W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
58
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0062ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Disipación de Potencia
46
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza SI7884BDP-T1-GE3
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto