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SI7884BDP-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 58 A, 0.0075 ohm, PowerPAK SO, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7884BDP-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo29X0551
Cinta adhesiva16P3877
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 37 semanas
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 3000 | $1.720 | $5,160.00 |
| Total Precio | $5,160.00 | ||
Cinta adhesiva
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $1.720 |
| 6000+ | $1.690 |
| 9000+ | $1.650 |
| 15000+ | $1.620 |
| 30000+ | $1.580 |
| 75000+ | $1.550 |
| 150000+ | $1.510 |
| 300000+ | $1.480 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $1.330 |
| 9000+ | $1.280 |
| 15000+ | $1.230 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7884BDP-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo29X0551
Cinta adhesiva16P3877
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id58
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0075
Resistencia de Activación Rds(on)0.0062ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd46W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Disipación de Potencia46
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El SI7884BDP-T1-GE3 es un MOSFET de potencia TrenchFET® de canal N de 40V. El MOSFET de canal N para aplicaciones de conmutación ahora está disponible con resistencias de matriz de alrededor de 1 mΩ y con la capacidad de manejar 85A.
- Libre de halógenos según la definición de IEC 61249-2-21
- Rg probado 100%
- Probado UIS 100%
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0075
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
58
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0062ohm
Disipación de Potencia Pd
46W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia
46
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza SI7884BDP-T1-GE3
1 producto (s) encontrado (s)
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4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto