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SI7848BDP-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 47 A, 0.009 ohm, PowerPAK SO, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7848BDP-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante27 semanas
No. Parte Newark16P3873
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 27 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $1.960 |
| 6000+ | $1.920 |
| 9000+ | $1.880 |
| 15000+ | $1.840 |
| 30000+ | $1.800 |
| 75000+ | $1.760 |
| 150000+ | $1.720 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$5,880.00
nota de línea
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7848BDP-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante27 semanas
No. Parte Newark16P3873
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id47
Resistencia de Activación Rds(on)0.0074ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.009
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd4.2W
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia4.2
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Resumen del producto
El SI7848BDP-T1-GE3 es un MOSFET de potencia TrenchFET® de canal N de 40V. El MOSFET de canal N para aplicaciones de conmutación ahora está disponible con resistencias de matriz de alrededor de 1 mΩ y con la capacidad de manejar 85A.
- Libre de halógenos según la definición de IEC 61249-2-21
- Rg probado 100%
- Probado UIS 100%
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0074ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
47
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.009
Disipación de Potencia Pd
4.2W
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Disipación de Potencia
4.2
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI7848BDP-T1-GE3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto