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SI7810DN-T1-E3
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 3.4 A, 0.084 ohm, PowerPAK 1212, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7810DN-T1-E3
No. Parte Newark06J8165
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id3.4
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.084
Resistencia de Activación Rds(on)0.084ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd3.8W
Diseño de TransistorPowerPAK 1212
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5
Disipación de Potencia3.8
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (10-Jun-2022)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.084
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
3.8W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
3.4
Resistencia de Activación Rds(on)
0.084ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212
Disipación de Potencia
3.8
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (10-Jun-2022)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (10-Jun-2022)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto