Imprimir página
SI7788DP-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 50 A, 0.0041 ohm, SOIC, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7788DP-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark16P3869
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 37 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $1.880 |
| 6000+ | $1.840 |
| 9000+ | $1.800 |
| 15000+ | $1.770 |
| 30000+ | $1.730 |
| 75000+ | $1.690 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$5,640.00
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7788DP-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark16P3869
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id50
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0041
Resistencia de Activación Rds(on)0.0041ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Disipación de Potencia Pd5.2W
Diseño de TransistorSOIC
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia5.2
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0041
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
5.2W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
50
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0041ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia
5.2
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza SI7788DP-T1-GE3
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto