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SI7772DP-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 35.6 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7772DP-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark35R6247
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 37 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.295 |
| 6000+ | $0.292 |
| 9000+ | $0.286 |
| 15000+ | $0.280 |
| 30000+ | $0.274 |
| 75000+ | $0.269 |
| 150000+ | $0.263 |
| 300000+ | $0.257 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$885.00
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7772DP-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark35R6247
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id35.6
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.013
Resistencia de Activación Rds(on)0.0105ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd3.9W
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia3.9
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.013
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
3.9W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
35.6
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0105ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Disipación de Potencia
3.9
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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Legislación y medioambiente
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