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SI7686DP-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 35 A, 0.0095 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.170 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7686DP-T1-GE3
No. Parte Newark26R1934
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id35
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0095
Resistencia de Activación Rds(on)0.014ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd5W
Diseño de TransistorSOIC
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia5
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0095
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
35
Resistencia de Activación Rds(on)
0.014ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia
5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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