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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.400 |
| 25+ | $1.140 |
| 100+ | $0.741 |
| 500+ | $0.615 |
| 1000+ | $0.487 |
| 2500+ | $0.464 |
| 10000+ | $0.446 |
| 25000+ | $0.439 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7619DN-T1-GE3
No. Parte Newark61AC1944
Rango de ProductoTrenchFET
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id24A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.021ohm
Diseño de TransistorPowerPAK 1212
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia27.8W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
24A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.021ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
27.8W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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