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SI7615CDN-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 35 A, 7200 µohm, PowerPAK 1212, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7615CDN-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark15AN1330
Rango de ProductoTrenchFET III
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.070 |
| 50+ | $0.665 |
| 100+ | $0.434 |
| 250+ | $0.385 |
| 500+ | $0.335 |
| 1000+ | $0.303 |
| 2500+ | $0.282 |
| 5000+ | $0.261 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7615CDN-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark15AN1330
Rango de ProductoTrenchFET III
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id35
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente7200
Diseño de TransistorPowerPAK 1212
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia33
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoTrenchFET III
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
35
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Disipación de Potencia
33
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
7200
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET III
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto