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SI7611DN-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 40 V, 18 A, 0.025 ohm, PowerPAK 1212, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7611DN-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo16P3852
Re-reeling (Rollos a medida)69W7231RL
Cinta adhesiva69W7231
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.530 | $2.53 |
| Total Precio | $2.53 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.530 |
| 50+ | $1.240 |
| 100+ | $1.110 |
| 250+ | $0.999 |
| 500+ | $0.888 |
| 1000+ | $0.870 |
| 2500+ | $0.852 |
| 5000+ | $0.835 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $1.050 |
| 9000+ | $0.978 |
| 15000+ | $0.958 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7611DN-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo16P3852
Re-reeling (Rollos a medida)69W7231RL
Cinta adhesiva69W7231
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id18
Resistencia de Activación Rds(on)0.027ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.025
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd3.7W
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Diseño de TransistorPowerPAK 1212
Disipación de Potencia3.7
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Resumen del producto
El SI7611DN-T1-GE3 es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal P TrenchFET® de 40VDS adecuado para aplicaciones de interruptor de carga.
- Nuevo paquete PowerPAK® de baja resistencia térmica con tamaño pequeño y perfil bajo de 1.07 mm
- Probado Rg 100%
- Libre de halógenos
- Rango de temperatura de operación entre -50 y 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia de Activación Rds(on)
0.027ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
18
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.025
Disipación de Potencia Pd
3.7W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
Disipación de Potencia
3.7
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI7611DN-T1-GE3
1 producto (s) encontrado (s)
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4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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