Imprimir página
SI7465DP-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 5 A, 0.064 ohm, PowerPAK SO, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7465DP-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante62 semanas
No. Parte Newark26R1926
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 62 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.551 |
| 6000+ | $0.540 |
| 9000+ | $0.529 |
| 15000+ | $0.518 |
| 30000+ | $0.507 |
| 75000+ | $0.496 |
| 150000+ | $0.485 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$1,653.00
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7465DP-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante62 semanas
No. Parte Newark26R1926
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id5
Resistencia de Activación Rds(on)0.051ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.064
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd1.5W
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia1.5
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El SI7465DP-T1-GE3 es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal P TrenchFET® de 60VDS con diodo antiparalelo.
- Paquete PowerPAK® de baja resistencia térmica con tamaño pequeño y perfil bajo de 1.07mm
- Libre de halógenos
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0.051ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
1.5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.064
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Disipación de Potencia
1.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI7465DP-T1-GE3
2 productos encontrados
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto