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SI7454FDP-T1-RE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 23.5 A, 0.0295 ohm, PowerPAK SO, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7454FDP-T1-RE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante53 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6320
Re-reeling (Rollos a medida)37AJ9085RL
Cinta adhesiva37AJ9085
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
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1,888 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.740 | $1.74 |
| Total Precio | $1.74 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.740 |
| 50+ | $1.150 |
| 100+ | $0.807 |
| 250+ | $0.735 |
| 500+ | $0.663 |
| 1000+ | $0.617 |
| 2500+ | $0.587 |
| 5000+ | $0.556 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.550 |
| 9000+ | $0.505 |
| 15000+ | $0.495 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7454FDP-T1-RE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante53 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6320
Re-reeling (Rollos a medida)37AJ9085RL
Cinta adhesiva37AJ9085
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id23.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0295ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.4V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia39W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0295ohm
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
23.5A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.4V
Disipación de Potencia
39W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidad del producto