Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.

FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7450DP-T1-E3Copiar
No. Parte Newark
Hilado completo35K3489
Re-reeling (Rollos a medida)06J8151
Cinta adhesiva06J8151
Su número de pieza
2,869 En Inventario
¿Necesita más?
Envío estándar sin costo
en pedidos superiores a $150 Dlls
Entrega prioritaria disponible
si realiza su pedido antes de las 8 p. m. EST.
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $4.410 | $4.41 |
| Total Precio | $4.41 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.410 |
| 25+ | $3.060 |
| 50+ | $2.670 |
| 100+ | $2.280 |
| 250+ | $2.120 |
| 500+ | $1.960 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $1.440 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7450DP-T1-E3Copiar
No. Parte Newark
Hilado completo35K3489
Re-reeling (Rollos a medida)06J8151
Cinta adhesiva06J8151
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200
Intensidad Drenador Continua Id5.3
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.08
Resistencia de Activación Rds(on)0.08ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd5.2W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Disipación de Potencia5.2
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El SI7450DP-T1-E3 es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N TrenchFET® de 200 VDS, adecuado para aplicaciones de conmutador lateral primario y de telecomunicaciones/servidor.
- Nuevo paquete PowerPAK® de baja resistencia térmica con tamaño pequeño y perfil bajo de 1.07 mm
- Optimizado para PWM
- Conmutación rápida
- Probado Rg 100%
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.08
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
5.3
Resistencia de Activación Rds(on)
0.08ohm
Disipación de Potencia Pd
5.2W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
Disipación de Potencia
5.2
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza SI7450DP-T1-E3
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
