Imprimir página
SI7431DP-T1-E3
MOSFET de Potencia, Canal P, 200 V, 3.8 A, 0.174 ohm, PowerPAK SO, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7431DP-T1-E3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante62 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo71T8054
Cinta adhesiva57J5730
Su número de pieza
Disponible para pedido
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Hilado completo | 3000 | $1.990 | $5,970.00 |
| Total Precio | $5,970.00 | ||
Cinta adhesiva
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $3.010 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $1.990 |
| 6000+ | $1.950 |
| 9000+ | $1.910 |
| 15000+ | $1.870 |
| 30000+ | $1.830 |
| 75000+ | $1.790 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7431DP-T1-E3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante62 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo71T8054
Cinta adhesiva57J5730
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200
Intensidad Drenador Continua Id3.8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.174
Resistencia de Activación Rds(on)0.145ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Disipación de Potencia Pd1.9W
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia1.9
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
MOSFET de canal P de 200V (D-S) para uso en abrazadera activa en fuentes de alimentación intermedias de CD/CD.
- TrenchFET® power MOSFET
- Resistencia ultrabaja crítica para la aplicación
- Paquete PowerPAK® de baja resistencia térmica con perfil bajo de 1.07mm
- 100% Rg y probado contra avalanchas
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.174
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
1.9W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
3.8
Resistencia de Activación Rds(on)
0.145ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Disipación de Potencia
1.9
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto