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SI7414DN-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 8.7 A, 0.025 ohm, PowerPAK 1212, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7414DN-T1-GE3
No. Parte Newark16P3844
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7414DN-T1-GE3
No. Parte Newark16P3844
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id8.7
Resistencia de Activación Rds(on)0.021ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.025
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Disipación de Potencia Pd1.5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Diseño de TransistorPowerPAK 1212
Disipación de Potencia1.5
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0.021ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
1.5W
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
8.7
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.025
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia
1.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
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RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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