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SI7386DP-T1-E3
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 19 A, 0.007 ohm, PowerPAK SO, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7386DP-T1-E3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark16P3841
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 37 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $1.100 |
| 6000+ | $1.080 |
| 9000+ | $1.060 |
| 15000+ | $1.030 |
| 30000+ | $1.010 |
| 75000+ | $0.990 |
| 150000+ | $0.968 |
| 300000+ | $0.946 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$3,300.00
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7386DP-T1-E3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark16P3841
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id19
Resistencia de Activación Rds(on)0.0058ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.007
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Disipación de Potencia Pd1.8W
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia1.8
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El SI7386DP-T1-E3 es un MOSFET de potencia en modo de canal N TrenchFET® adecuado para aplicaciones de conversión de CD a CD.
- Carga de puerta dinámica total reducida (Qg)
- Conmutación rápida
- PWM optimizado para alta eficiencia
- Nuevo paquete PowerPAK® de baja resistencia térmica con tamaño pequeño y perfil bajo de 1.07 mm
- Probado Rg 100%
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0058ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
1.8W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
19
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.007
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Disipación de Potencia
1.8
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI7386DP-T1-E3
1 producto (s) encontrado (s)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto