Imprimir página
SI7386DP-T1-E3
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 19 A, 0.007 ohm, PowerPAK SO, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7386DP-T1-E3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark16P3841
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 37 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $1.120 |
| 6000+ | $1.100 |
| 9000+ | $1.080 |
| 15000+ | $1.050 |
| 30000+ | $1.030 |
| 75000+ | $1.010 |
| 150000+ | $0.986 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$3,360.00
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7386DP-T1-E3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark16P3841
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id19
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.007
Resistencia de Activación Rds(on)0.0058ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Disipación de Potencia Pd1.8W
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia1.8
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Resumen del producto
El SI7386DP-T1-E3 es un MOSFET de potencia en modo de canal N TrenchFET® adecuado para aplicaciones de conversión de CD a CD.
- Carga de puerta dinámica total reducida (Qg)
- Conmutación rápida
- PWM optimizado para alta eficiencia
- Nuevo paquete PowerPAK® de baja resistencia térmica con tamaño pequeño y perfil bajo de 1.07 mm
- Probado Rg 100%
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.007
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
1.8W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
19
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0058ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Disipación de Potencia
1.8
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI7386DP-T1-E3
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto