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SI7288DP-T1-GE3
MOSFET Dual, Canal N, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0156 ohm
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7288DP-T1-GE3
No. Parte Newark05AC7749
Rango de ProductoTrenchFET Series
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.900 |
| 25+ | $1.520 |
| 50+ | $1.330 |
| 100+ | $1.130 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7288DP-T1-GE3
No. Parte Newark05AC7749
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N40
Intensidad Drenador Continua Id20A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P40
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P20
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.0156
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.0156
Diseño de TransistorPowerPAK SO
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N15.6
Disipación de Potencia de Canal P15.6
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de ProductoTrenchFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
20A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
40
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
20
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.0156
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
15.6
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
40
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
20
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.0156
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Disipación de Potencia de Canal N
15.6
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
TrenchFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
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RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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