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SI7232DN-T1-GE3
MOSFET Dual, Canal N, 20 V, 20 V, 25 A, 25 A, 0.0135 ohm
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7232DN-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)57AJ0462RL
Cinta adhesiva57AJ0462
Rango de ProductoTrenchFET Series
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135 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.570 | $1.57 |
| Total Precio | $1.57 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.570 |
| 10+ | $0.989 |
| 25+ | $0.878 |
| 50+ | $0.766 |
| 100+ | $0.654 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7232DN-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)57AJ0462RL
Cinta adhesiva57AJ0462
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20
Intensidad Drenador Continua Id0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N25
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P25
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.0135
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.0135
Diseño de TransistorPowerPAK 1212
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N23
Disipación de Potencia de Canal P23
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoTrenchFET Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
25
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.0135
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
23
Rango de Producto
TrenchFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
25
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.0135
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212
Disipación de Potencia de Canal N
23
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto