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SI7155DP-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 40 V, 100 A, 0.0036 ohm, PowerPAK SO, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7155DP-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante49 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6313
Re-reeling (Rollos a medida)56AC6589RL
Cinta adhesiva56AC6589
Rango de ProductoTrenchFET Gen III Series
Su número de pieza
21,635 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $3.820 | $3.82 |
| Total Precio | $3.82 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.820 |
| 50+ | $2.130 |
| 100+ | $1.960 |
| 250+ | $1.820 |
| 500+ | $1.670 |
| 1000+ | $1.640 |
| 2500+ | $1.610 |
| 5000+ | $1.580 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $1.570 |
| 4000+ | $1.450 |
| 6000+ | $1.410 |
| 10000+ | $1.370 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7155DP-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante49 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6313
Re-reeling (Rollos a medida)56AC6589RL
Cinta adhesiva56AC6589
Rango de ProductoTrenchFET Gen III Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id100A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0036
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.3V
Disipación de Potencia104W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen III Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0036
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.3V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen III Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
100A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
104W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI7155DP-T1-GE3
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto