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SI7149DP-T1-GE3
MOSFET, P CHANNEL, -30V, -50A, PPAK SO8
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7149DP-T1-GE3
No. Parte Newark74R0230
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 15 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.640 |
| 10+ | $1.830 |
| 25+ | $1.670 |
| 50+ | $1.520 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
$13.20
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7149DP-T1-GE3
No. Parte Newark74R0230
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id50
Resistencia de Activación Rds(on)0.0042ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente5200µohm
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd69W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.2
Disipación de Potencia69
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El SI7149DP-T1-GE3 es un MOSFET de potencia TrenchFET® de canal P de -30V. Adecuado para interruptores de carga, PC portátiles, PC de escritorio y aplicaciones de estación de juegos. El MOSFET de canal P para aplicaciones de conmutación ahora está disponible con troquel en resistencias de alrededor de 1 mO y con la capacidad de manejar 85A.
- Libre de halógenos según la definición de IEC 61249-2-21
- Probado UIS 100%
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0042ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.2
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
50
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
5200µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
69W
Disipación de Potencia
69
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI7149DP-T1-GE3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto