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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7149ADP-T1-GE3
No. Parte Newark70AC6511
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id50
Resistencia de Activación Rds(on)0.0042ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0052
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd48W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia48
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
- Suitable for battery, load and adaptor switches, notebook computers and notebook battery packs
- TrenchFET® Power MOSFET
- Low On-Resistance for Low Voltage Drop
- Extended VGS max. Rating: 25V
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0042ohm
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
50
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0052
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
48W
Disipación de Potencia
48
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI7149ADP-T1-GE3
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto