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SI7115DN-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 150 V, 8.9 A, 0.295 ohm, PowerPAK 1212, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7115DN-T1-GE3Copiar
No. Parte Newark05W6954
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150
Intensidad Drenador Continua Id8.9
Resistencia de Activación Rds(on)0.245ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.295
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd52W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Diseño de TransistorPowerPAK 1212
Disipación de Potencia52
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150
Resistencia de Activación Rds(on)
0.245ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
52W
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
8.9
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.295
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
Disipación de Potencia
52
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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