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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7113DN-T1-E3
No. Parte Newark22M8861
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7113DN-T1-E3
No. Parte Newark22M8861
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id13.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0145
Resistencia de Activación Rds(on)0.0145ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Disipación de Potencia Pd3.7W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Diseño de TransistorPowerPAK 1212
Disipación de Potencia3.7
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza SI7113DN-T1-E3
1 producto (s) encontrado (s)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0145
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
3.7W
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
13.2
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0145ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia
3.7
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto