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SI7101DN-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 35 A, 0.0072 ohm, PowerPAK 1212, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7101DN-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6308
Re-reeling (Rollos a medida)19X1961RL
Cinta adhesiva19X1961
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.110 | $2.11 |
| Total Precio | $2.11 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.110 |
| 50+ | $1.110 |
| 100+ | $1.020 |
| 250+ | $0.951 |
| 500+ | $0.793 |
| 1000+ | $0.775 |
| 2500+ | $0.726 |
| 5000+ | $0.677 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.728 |
| 4000+ | $0.671 |
| 6000+ | $0.654 |
| 10000+ | $0.643 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7101DN-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6308
Re-reeling (Rollos a medida)19X1961RL
Cinta adhesiva19X1961
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id35A
Resistencia de Activación Rds(on)0.0058ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente7200µohm
Diseño de TransistorPowerPAK 1212
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia52W
Disipación de Potencia Pd52W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Resumen del producto
MOSFET de canal P de 30V (D-S) para uso en interruptor adaptador de computadora portátil, administración de batería de computadora portátil e interruptor de carga.
- TrenchFET® power MOSFET
- Probado Rg 100%
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0058ohm
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
52W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
35A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
7200µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
Disipación de Potencia Pd
52W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza SI7101DN-T1-GE3
7 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
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