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SI6423DQ-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 12 V, 8.2 A, 0.0085 ohm, TSSOP, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.000 |
| 25+ | $1.290 |
| 50+ | $1.080 |
| 100+ | $0.878 |
| 250+ | $0.792 |
| 500+ | $0.705 |
| 1000+ | $0.698 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI6423DQ-T1-GE3
No. Parte Newark69W7214
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds12
Intensidad Drenador Continua Id8.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0085
Diseño de TransistorTSSOP
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)1.8
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente800
Disipación de Potencia1.05
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
The SI6423DQ-T1-GE3 is a 12VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch applications.
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
Aplicaciones
Industrial, Administración de Potencia
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
8.2
Diseño de Transistor
TSSOP
Voltaje de Prueba Rds(on)
1.8
Disipación de Potencia
1.05
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
12
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0085
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
800
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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