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SI5471DC-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 6 A, 0.02 ohm, 1206, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI5471DC-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo15R5163
Cinta adhesiva63R6003
Su número de pieza
Disponible para pedido
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 3000 | $0.374 | $1,122.00 |
| Total Precio | $1,122.00 | ||
Cinta adhesiva
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.374 |
| 6000+ | $0.367 |
| 9000+ | $0.359 |
| 15000+ | $0.352 |
| 30000+ | $0.344 |
| 75000+ | $0.337 |
| 150000+ | $0.329 |
| 300000+ | $0.322 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.436 |
| 9000+ | $0.400 |
| 15000+ | $0.386 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI5471DC-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo15R5163
Cinta adhesiva63R6003
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id6
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.02
Resistencia de Activación Rds(on)0.02ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd6.3W
Diseño de Transistor1206
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.1
Disipación de Potencia6.3
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (10-Jun-2022)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.02
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
6.3W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.1
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
6
Resistencia de Activación Rds(on)
0.02ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Diseño de Transistor
1206
Disipación de Potencia
6.3
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (10-Jun-2022)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI5471DC-T1-GE3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (10-Jun-2022)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto