Imprimir página
SI4946BEY-T1-E3
MOSFET Dual, Canal N, 60 V, 6.5 A, 0.033 ohm
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4946BEY-T1-E3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante7 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo87K0417
Cinta adhesiva75M3216
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 7 semanas
Avísenme cuando vuelva a estar en stock
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.010 | $2.01 |
| Total Precio | $2.01 | ||
Cinta adhesiva
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.010 |
| 50+ | $1.800 |
| 100+ | $1.650 |
| 250+ | $1.500 |
| 500+ | $1.340 |
| 1000+ | $1.190 |
| 2500+ | $1.110 |
| 5000+ | $1.060 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.840 |
| 7500+ | $0.790 |
| 12500+ | $0.749 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4946BEY-T1-E3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante7 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo87K0417
Cinta adhesiva75M3216
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id6.5A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N6.5
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.033
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2.4
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El SI4946BEY-T1-E3 es un MOSFET de potencia TrenchFET® de doble canal de 60V. El MOSFET de potencia LITTLE FOOT® montado en la superficie utiliza circuitos integrados y paquetes de señales pequeñas que se han modificado para proporcionar las capacidades de transferencia de calor requeridas por los dispositivos de potencia.
- Libre de halógenos según la definición de IEC 61249-2-21
- Temperatura máxima de unión 175°C.
- Rg probado 100%
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
6.5A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
6.5
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.033
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2.4
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (4)
Alternativas para el número de pieza SI4946BEY-T1-E3
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto