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SI4894BDY-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 12 A, 11 mohm, SOIC, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4894BDY-T1-GE3Copiar
No. Parte Newark26R1892
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id12
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente11
Resistencia de Activación Rds(on)0.016ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd1.4W
Diseño de TransistorSOIC
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia1.4
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza SI4894BDY-T1-GE3
1 producto (s) encontrado (s)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
11
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
1.4W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
12
Resistencia de Activación Rds(on)
0.016ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia
1.4
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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