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SI4850EY-T1-E3
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 8.5 A, 0.022 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4850EY-T1-E3
No. Parte Newark06J7915
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id8.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.022
Resistencia de Activación Rds(on)0.018ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd3.3W
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Diseño de TransistorSOIC
Disipación de Potencia3.3
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza SI4850EY-T1-E3
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
El SI4850EY-T1-E3 es un MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N TrenchFET® con carga de puerta dinámica total reducida (Qg).
- Conmutación rápida
- Temperatura máxima de unión 175°C.
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.022
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Diseño de Transistor
SOIC
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
8.5
Resistencia de Activación Rds(on)
0.018ohm
Disipación de Potencia Pd
3.3W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
Disipación de Potencia
3.3
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
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5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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