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SI4850EY-T1-E3
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 8.5 A, 0.022 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4850EY-T1-E3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante36 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo35K3477
Re-reeling (Rollos a medida)06J7915
Cinta adhesiva06J7915
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| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.640 | $2.64 |
| Total Precio | $2.64 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.640 |
| 50+ | $1.960 |
| 100+ | $1.360 |
| 250+ | $1.280 |
| 500+ | $1.190 |
| 1000+ | $1.100 |
| 2500+ | $1.070 |
| 5000+ | $1.050 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.839 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4850EY-T1-E3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante36 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo35K3477
Re-reeling (Rollos a medida)06J7915
Cinta adhesiva06J7915
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id8.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.022
Resistencia de Activación Rds(on)0.018ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd3.3W
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Diseño de TransistorSOIC
Disipación de Potencia3.3
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza SI4850EY-T1-E3
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
El SI4850EY-T1-E3 es un MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N TrenchFET® con carga de puerta dinámica total reducida (Qg).
- Conmutación rápida
- Temperatura máxima de unión 175°C.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.022
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Diseño de Transistor
SOIC
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
8.5
Resistencia de Activación Rds(on)
0.018ohm
Disipación de Potencia Pd
3.3W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
Disipación de Potencia
3.3
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Productos relacionados
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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