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SI4848DY-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 150 V, 2.7 A, 85 mohm, SOIC, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4848DY-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)84R8061RL
Cinta adhesiva84R8061
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 2500 | $0.694 | $1,735.00 |
| Total Precio | $1,735.00 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.694 |
| 5000+ | $0.668 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4848DY-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)84R8061RL
Cinta adhesiva84R8061
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150
Intensidad Drenador Continua Id2.7
Resistencia de Activación Rds(on)0.068ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente85
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd1.5W
Diseño de TransistorSOIC
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia1.5
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
El SI4848DY-T1-GE3 es un MOSFET de potencia con modo de mejora de canal N TrenchFET® de 150 VDS con diodo antiparalelo.
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 150°C
- Libre de halógenos
Advertencias
La demanda del mercado de este producto ha causado una extensión en los plazos de entrega, las fechas de entrega pueden fluctuar
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150
Resistencia de Activación Rds(on)
0.068ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
1.5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
2.7
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
85
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia
1.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI4848DY-T1-GE3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto