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SI4848DY-T1-E3
MOSFET de Potencia, Canal N, 150 V, 2.7 A, 85 mohm, SOIC, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4848DY-T1-E3
No. Parte Newark82R3991
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4848DY-T1-E3
No. Parte Newark82R3991
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150
Intensidad Drenador Continua Id2.7
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente85
Resistencia de Activación Rds(on)0.068ohm
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia1.3
Disipación de Potencia Pd1.3W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza SI4848DY-T1-E3
2 productos encontrados
Resumen del producto
- MOSFET de potencia TrenchFET® de canal N de 150V (D-S)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
85
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
1.3
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
2.7
Resistencia de Activación Rds(on)
0.068ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
Disipación de Potencia Pd
1.3W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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