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SI4838BDY-T1-GE3
MOSFET Transistor, N Channel, 34 A, 12 V, 2.1 mohm, 4.5 V, 400 mV RoHS Compliant: Yes
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.660 |
| 10+ | $1.810 |
| 25+ | $1.640 |
| 50+ | $1.480 |
| 100+ | $1.310 |
| 500+ | $1.100 |
| 1000+ | $1.070 |
| 2500+ | $1.030 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4838BDY-T1-GE3
No. Parte Newark97W2660
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds12V
Intensidad Drenador Continua Id34A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2700µohm
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente400mV
Disipación de Potencia5.7W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
12V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
400mV
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
34A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2700µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
5.7W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
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